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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Verlag: Springer Netherland, 347 Seiten

Elektronisches Format: PDF

Erscheinungsdatum: 02.09.2016

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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)

Verlag: Springer Netherland, Auflage 1, 347 Seiten

Erscheinungsdatum: 15.06.2018

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