Die Dissertationsschrift beschäftigt sich mit III-V Mehrfachsolarzellen, die epitaktisch auf Silicium aufgewachsen werden. Sie erlauben eine Steigerung des Wirkungsgrades auf über 40 %, während das theoretische Limit einer Silicium Einfachsolarzelle bei 29.4 % liegt. Durch die Charakterisierung und Optimierung der einzelnen Schichten und Prozesse konnte der Wirkungsgrad der GaInP/GaAs/Si Struktur von 19.7 % auf 25.9 % erhöht werden.