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Ihre Suche ergab 11 Treffer.

Ferroelectric Thin Films

Basic Properties and Device Physics for Memory Applications

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Verlag: Springer Berlin, 244 Seiten

Elektronisches Format: PDF

Erscheinungsdatum: 07.02.2005

213,99 € inkl. MwSt.
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Ferroelectric Thin Films

Basic Properties and Device Physics for Memory Applications

Produktform: Buch / Einband - fest (Hardcover)

Verlag: Springer Berlin, Auflage 1, 244 Seiten

Erscheinungsdatum: 22.02.2005

213,99 € inkl. MwSt.
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Ferroelectric Thin Films

Basic Properties and Device Physics for Memory Applications

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)

Verlag: Springer Berlin, Auflage 1, 244 Seiten

Erscheinungsdatum: 19.10.2010

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Ferroelectric Random Access Memories

Fundamentals and Applications

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Verlag: Springer Berlin, 291 Seiten

Elektronisches Format: PDF

Erscheinungsdatum: 16.03.2004

309,23 € inkl. MwSt.
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Ferroelectric Random Access Memories

Fundamentals and Applications

Produktform: Buch / Einband - fest (Hardcover)

Verlag: Springer Berlin, Auflage 1, 291 Seiten

Erscheinungsdatum: 16.04.2004

320,99 € inkl. MwSt.
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Ferroelectric Random Access Memories

Fundamentals and Applications

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)

Verlag: Springer Berlin, Auflage 1, 291 Seiten

Erscheinungsdatum: 03.12.2010

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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Verlag: Springer Singapore, Auflage 2, 425 Seiten

Elektronisches Format: PDF

Erscheinungsdatum: 23.03.2020

149,79 € inkl. MwSt.
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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

Produktform: Buch / Einband - fest (Hardcover)

Verlag: Springer Singapore, Auflage 2, 425 Seiten

Erscheinungsdatum: 24.03.2020

160,49 € inkl. MwSt.
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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)

Verlag: Springer Singapore, Auflage 2, 425 Seiten

Erscheinungsdatum: 24.03.2021

160,49 € inkl. MwSt.
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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Verlag: Springer Netherland, 347 Seiten

Elektronisches Format: PDF

Erscheinungsdatum: 02.09.2016

117,69 € inkl. MwSt.
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