Power Combining Solutions for High-Power GaN MMICs at mm-Wave Frequencies
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
While millimeter-wave frequencies are introduced in next-generation communication systems, the need for amplifiers with high power levels is steadily increasing. As an alternative to current tube amplifiers, solid-state based systems are of great interest. To that end, this work covers the analysis of gallium nitride (GaN) broadband amplifiers and associated combiner systems (SSPA) with an output power in excess of 100 W between 28 and 38 GHz.
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Untersuchung von Rauscheinflüssen auf die präzise Abstandsbestimmung von mmW FMCW-Radaren im Nahbereich
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In dieser Arbeit wurde ein 94 GHz Radarmodul zur Untersuchung der Herausforderungen der präzisen Abstandssensorik im Nahbereich entwickelt. Systematische Messfehler können kalibriert werden, weshalb speziell auf die statistischen Fehler eingegangen wird, welche die Präzision begrenzen. Dazu wird der Einfluss von Rauschprozessen auf die Messperformance theoretisch beschrieben und messtechnisch über verschiedene Parametervariationen verifiziert.
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Integrated Sub-Millimeter-Wave High-Power Amplifiers in Advanced InGaAs-Channel HEMT Technology
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
Highly broadband power amplifiers are a key building block of next generation high-capacity communication and high-resolution imaging solution at the lower THz frequency band around 300 GHz. This thesis describes the investigation and realization of such high-power amplifiers, implemented in an InGaAs mHEMT technology.
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Switching Characteristics of Integrated GaN-on-Si Half-Bridge and Driver Circuits
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
This work examines particularities in the switching characteristics of gallium nitride (GaN) half-bridge and driver circuits, which arise from the integration on a common conductive silicon (Si) substrate. Experimental and theoretical investigations on GaN-on-Si half-bridges with drivers contribute to unlock the benefits of monolithic GaN-based power circuit integration for compact, clean switching and efficient power electronics.
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Millimeter-Wave Tomographic Imaging of Composite Materials
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
Modern composite materials require measurement technologies, which can detect and classify critical defects during and after the manufacturing process. This thesis provides a theoretical and experimental investigation of the capabilities of millimeter-wave-based measurement systems for the above-mentioned task. It is demonstrated, that such systems are well suited as non-destructive and non-contact measurement tools for composite materials.
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High-Q AlGaN/GaN Varactors for Mobile Communication Systems
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In recent years, adaptive circuits are investigated to tackle the increasing complexity of modern mobile communication systems. In this work, linear high-Q AlGaN/GaN varactors are developed based on the Fraunhofer IAF technology. The developed devices are proposed as a powerful alternative to existing varactor concepts, as they display superior performance especially at frequencies exceeding 2 GHz.
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Leistungsfähige Infrarotdetektoren mit hoher Betriebstemperatur auf Basis antimonidischer Übergitter
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
Der spektroskopische Fingerabdruck von Substanzen im Infraroten wird in modernen, echtzeitfähigen Anwendungen mit halbleiterbasierten, thermoelektrisch gekühlten Photodetektoren identifiziert. In dieser Arbeit werden InAs/GaSb-Übergitter, die künstliche Halbleiter-Quantenstrukturen darstellen, als Detektormaterial für thermoelektrisch gekühlte Infrarot-Photodetektoren untersucht, entwickelt und optimiert.
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