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Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
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Laser-µ-Bearbeitung von GaN-basierten Leuchtdioden mit ultrakurzen Laserpulsen
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Laserbearbeitung an GaN-basierten Leuchtdioden mit Pikosekunden-Laserpulsen im ultravioletten Spektralbereich. Neben der Planung und dem Aufbau einer Laser-µ-Bearbeitungsanlage wird auf die Entwicklung von Laserbearbeitungsverfahren zur Realisierung GaN-basierter Leuchtdioden eingegangen, ohne dabei auf konventionelle Lithographie und trockenchemische Ätzverfahren zurückzugreifen.
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Verbesserung der Abbildungsqualität blauer Projektionslichtquellen
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
Im Rahmen dieser Dissertation wurden Wellenleiterstrukturen zur "Verbesserung der Abbildungsqualität blauer Projektionslichtquellen" entwickelt. Dabei lag der Hauptfokus auf der Realisierung von blauen Superlumineszenz-Dioden, deren breitbandiges Emissionsspektrum das Auftreten von "Speckle" reduziert. Eine weitere Verbesserung der Abbildungsqualität gelang durch eine detaillierte Analyse von Streulicht und eine Korrektur der daraus folgenden Fernfeldstörungen.
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Switching Characteristics of Integrated GaN-on-Si Half-Bridge and Driver Circuits
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
This work examines particularities in the switching characteristics of gallium nitride (GaN) half-bridge and driver circuits, which arise from the integration on a common conductive silicon (Si) substrate. Experimental and theoretical investigations on GaN-on-Si half-bridges with drivers contribute to unlock the benefits of monolithic GaN-based power circuit integration for compact, clean switching and efficient power electronics.
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Local charge carrier diffusion and recombination in InGaN quantum wells
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
Light emitting InGaN/GaN quantum wells are studied with confocal micro photoluminescence microscopy. The charge carrier density dependent recombination rates in the quantum wells are investigated with the help of the so called ABC model and by measuring charge carrier density and recombination. Additionally, lateral charge carrier motion was directly observed and the diffusion constant measured at room and 15 K.
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Optische Polarisationsabhängigkeit semipolarer und nonpolarer InGaN-Quantenfilme und ihre Ladungsträgerstatistik
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High-Q AlGaN/GaN Varactors for Mobile Communication Systems
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
In recent years, adaptive circuits are investigated to tackle the increasing complexity of modern mobile communication systems. In this work, linear high-Q AlGaN/GaN varactors are developed based on the Fraunhofer IAF technology. The developed devices are proposed as a powerful alternative to existing varactor concepts, as they display superior performance especially at frequencies exceeding 2 GHz.
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Halbleiter-Scheibenlaser hoher Brillanz für den Wellenlängenbereich von 2,0-2,8 µm
Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)
In den letzten Jahren konnte das Potential von Halbleiter-Scheibenlasern für Anwendungen gezeigt werden, die kohärente Strahlquellen mit hoher Strahlqualität und gleichzeitig hoher Ausgangsleistung erfordern. Die Untersuchungen dieser Arbeit widmen sich den Eigenschaften von optisch gepumpten Halbleiter-Scheibenlasern, die antimonidischen III-V-Halbleitern basieren und im Wellenlängenbereich von 2,0 - 2,8 µm emittieren.
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A Compact In-Situ Cryogenic Noise Measurement System for Characterization of Low Noise Amplifiers
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Modeling of Dispersive Millimeter-Wave GaN HEMT Devices for High Power Amplifier Design
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This thesis addresses the development of a scalable nonlinear model to describe the active devices of a 100 nm AlGaN/GaN technology. Various state-space approaches have been introduced and verified for the nonlinear description of the bias dependent intrinsic transistor of the dispersive devices. With the use of the developed scalable state-space transistor model, two power amplifiers have been designed for millimeter-wave applications.
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