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Photosynthesis: Photoreactions to Plant Productivity

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Verlag: Springer Netherland, 607 Seiten

Elektronisches Format: PDF

Erscheinungsdatum: 06.12.2012

53,49 € inkl. MwSt.
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Photosynthesis: Photoreactions to Plant Productivity

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)

Verlag: Springer Netherland, Auflage 1, 607 Seiten

Erscheinungsdatum: 23.10.2012

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Low-Power High-Level Synthesis for Nanoscale CMOS Circuits

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Verlag: Springer US, 302 Seiten

Elektronisches Format: PDF

Erscheinungsdatum: 31.05.2008

149,79 € inkl. MwSt.
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Low-Power High-Level Synthesis for Nanoscale CMOS Circuits

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)

Verlag: Springer US, Auflage 1, 302 Seiten

Erscheinungsdatum: 05.11.2010

160,49 € inkl. MwSt.
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Low-Power High-Level Synthesis for Nanoscale CMOS Circuits

Produktform: Buch / Einband - fest (Hardcover)

Verlag: Springer US, Auflage 1, 302 Seiten

Erscheinungsdatum: 07.07.2008

160,49 € inkl. MwSt.
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Robust SRAM Designs and Analysis

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem


This guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis meets the nano-regime challenges for CMOS devices and such emerging devices as Tunnel FETs. Offers popular SRAM bitcell topologies that mitigate variability, plus exhaustive analysis.

Verlag: Springer US, 168 Seiten

Elektronisches Format: PDF

Erscheinungsdatum: 01.08.2012

96,29 € inkl. MwSt.
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Robust SRAM Designs and Analysis

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)


This guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis meets the nano-regime challenges for CMOS devices and such emerging devices as Tunnel FETs. Offers popular SRAM bitcell topologies that mitigate variability, plus exhaustive analysis.

Verlag: Springer US, Auflage 1, 168 Seiten

Erscheinungsdatum: 08.08.2014

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Robust SRAM Designs and Analysis

Produktform: Buch / Einband - fest (Hardcover)


This guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis meets the nano-regime challenges for CMOS devices and such emerging devices as Tunnel FETs. Offers popular SRAM bitcell topologies that mitigate variability, plus exhaustive analysis.

Verlag: Springer US, Auflage 1, 168 Seiten

Erscheinungsdatum: 31.07.2012

149,79 € inkl. MwSt.
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