Der spektroskopische Fingerabdruck von Substanzen im Infraroten wird in modernen, echtzeitfähigen Anwendungen mit halbleiterbasierten, thermoelektrisch gekühlten Photodetektoren identifiziert. In dieser Arbeit werden InAs/GaSb-Übergitter, die künstliche Halbleiter-Quantenstrukturen darstellen, als Detektormaterial für thermoelektrisch gekühlte Infrarot-Photodetektoren untersucht, entwickelt und optimiert.