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Recent Advances in PMOS Negative Bias Temperature Instability

Characterization and Modeling of Device Architecture, Material and Process Impact

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Verlag: Springer Singapore, 311 Seiten

Elektronisches Format: PDF

Erscheinungsdatum: 25.11.2021

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Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors

Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Verlag: Springer India, 269 Seiten

Elektronisches Format: PDF

Erscheinungsdatum: 05.08.2015

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Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors

Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)

Verlag: Springer India, Auflage 1, 269 Seiten

Erscheinungsdatum: 23.10.2016

106,99 € inkl. MwSt.
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Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors

Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling

Produktform: Buch / Einband - fest (Hardcover)

Verlag: Springer India, Auflage 1, 269 Seiten

Erscheinungsdatum: 14.08.2015

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Recent Advances in PMOS Negative Bias Temperature Instability

Characterization and Modeling of Device Architecture, Material and Process Impact

Produktform: Buch / Einband - fest (Hardcover)

Verlag: Springer Singapore, Auflage 1, 311 Seiten

Erscheinungsdatum: 26.11.2021

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Recent Advances in PMOS Negative Bias Temperature Instability

Characterization and Modeling of Device Architecture, Material and Process Impact

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)

Verlag: Springer Singapore, Auflage 1, 311 Seiten

Erscheinungsdatum: 27.11.2022

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