Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Analyse der leitungsgeführten EMV-Störsignale an der Schnittstelle des integrierten Schaltkreises zur Komponente. Die im Rahmen dieser Arbeit entwickelten Methoden zur Ermittlung der Störsignale direkt am Anschluss des integrierten Schaltkreises basieren auf realen EMV-Prüfergebnissen, aus denen die am IC-Anschluss auftretenden Störgrößen simulativ bestimmt werden. Dazu werden die Streuparameter des verwendeten Prüfequipments mit Hilfe eines Netzwerkanalysators ermittelt und daraus die Zweitoreigenschaften der Ein- und Auskoppelpfade berechnet. Die erstellten Methoden werden anschließend an unterschiedlichen Produkten aus dem Automobilumfeld angewendet und die damit erzielten Ergebnisse anhand im Vorfeld definierter Kriterien bewertet. Das dargestellte Vorgehen bei der Ermittlung der Störgrößen am IC-Anschluss ermöglicht einen Vergleich der erzielten Ergebnisse beider Prüfebenen und dient damit als Grundlage einer hierarchischen Anforderungsdefinition zwischen den beiden EMV-Prüfebenen.weiterlesen