IGBT und Leistungs-MOSFET in Modulbauform sind heute Schlüsselkomponenten der Leistungselektronik und erobern immer weitere Einsatzgebiete. Damit verbunden ist ein steigender Bedarf an Netzdioden und Thyristoren als kostengünstigste Möglichkeit zum Anschluss an das Energieversorgungsnetz. Das vorliegende Buch soll die Anwender bei der Auswahl und dem Einsatz dieser Bauelemente unterstützen. Halbleiterphysikalisches Hintergrundwissen wird soweit umrissen, wie es zum Verständnis der Einsatzmöglichkeiten und -grenzen notwendig erscheint. Größerer Raum wird dafür der Beschreibung verschiedener Aufbau- und Verbindungstechnologien gewidmet, die wesentlichen Einfluss auf Eigenschaften der Module und Grenzen im Feldeinsatz haben. Ausführungen zu Zuverlässigkeit und Lebensdauer sowie den entsprechenden Prüfverfahren runden diesen Abschnitt ab. Das Buch erklärt den Aufbau von Datenblättern und gibt Hinweise zum richtigen Umgang mit den dort verfügbaren Informationen. Schwerpunktmäßig werden applikationsspezifische Aspekte besprochen, die bei Auswahl und Einsatz der Leistungshalbleiter zu berücksichtigen sind. Hierzu zählen die elektrische Auslegung für wichtige Betriebsfälle, Ansteuerung und Schutz der Halbleiter, die thermische Auslegung und Kühlung, Hinweise zu Parallel- und Reihenschaltung, Aufbauhinweise zu optimierten Leistungslayouts hinsichtlich parasitärer Elemente sowie Anforderungen, die sich aus spezifischen Umweltbedingungen ergeben.weiterlesen