Das organische Poly-(3,4-Ethylendioxythiophen) (PEDOT) sowie die anorganischen Materialien Galliumnitrid (GaN) und Zinkoxid (ZnO) sind etablierte Materialien in elektronischen Anwendungen. Die Kombination dieser Materialien ermöglicht im Idealfall die Verknüpfung der jeweiligen Stärken bei Vermeidung der jeweiligen Schwächen und so die Realisierung komplexer Bauelemente wie dreidimensionaler Leuchtdioden (LEDs) in Kern-Mantel-Struktur. Für die gleichmäßige Abscheidung von PEDOT-Hüllen um anorganische Nano- oder Mikrosäulen muss von etablierten Depositionstechniken wie dem Aufschleudern mittels Lackschleuder abgewichen werden. Eine Depositionstechnik, die konforme und homogene Polymerbeschichtungen auf beliebigen Substraten unabhängig von der Komplexität der Oberflächenstruktur erlaubt, ist die oxidative chemische Gasphasendeposition (oCVD). In dieser Arbeit werden die elektrischen Charakteristika hybrider PEDOT/GaN- und PEDOT/ZnO-Strukturen untersucht, wobei die PEDOT-Schicht mit Hilfe der oCVD abgeschieden wird. Die Arbeit gliedert sich in zwei inhaltliche Teilbereiche. Einerseits werden die Parameter des oCVD-Prozesses beleuchtet, andererseits werden die elektrischen Eigenschaften der beiden hybriden Grenzflächen betrachtet. Beim oCVD-Prozesses wird der Einfluss der Parameter Depositionszeit, Substrattemperatur und Temperatur des Oxidationsmittels auf reproduzierbare Schichtdicken und laterale Leitfähigkeiten des abgeschiedenen PEDOT-Films untersucht. Längere Depositionszeiten, niedrigere Substrattemperaturen und höhere Temperaturen des Oxidationsmittels führen zu dickeren PEDOT-Schichten. Die größte Prozesskontrolle gibt die Substrattemperatur, die auch die laterale Leitfähigkeit des PEDOT-Films maßgeblich beeinflusst. Höhere Substrattemperaturen resultieren in höheren Leitfähigkeiten, die im Rahmen dieser Arbeit mehrere 100 S/cm erreichen. Wird das p-leitende oCVD-PEDOT auf n-dotierten Templates wie n-ZnO oder n-GaN abgeschieden, bildet sich eine Diodencharakteristik in Strom-Spannungs-Messungen mit Sperrverhältnissen von bis zu acht Größenordnungen aus. Die elektrischen Charakteristika der hybriden Grenzfläche weisen eine gute thermische (getestet bis 150◦C) und zeitliche Stabilität von über zwei Jahren bei Lagerung in Dunkelheit und an Luft auf. Mit Hilfe des Schottky-Modells lassen sich Idealitätsfaktoren und Barrierenhöhen der hybriden Grenzflächen bestimmen. Die Idealitätsfaktoren zeichnen sich durch niedrige Werte von unter 2,0 aus und implizieren defektarme Grenzflächen. Die mittleren Barrierenhöhen betragen bei PEDOT/ZnO 1,3 eV und bei PEDOT/GaN 1,4 eV. Die Temperaturabhängigkeiten der Idealitätsfaktoren und effektiven Barrierenhöhen entsprechen dem Schottky-Modell der inhomogenen Barrierenhöhe und stützen die Hypothese, dass PEDOT als metallisch beschrieben werden kann und thermionische Emission der dominante Leitungsmechanismus der Grenzfläche ist. Als Ausblick wird eine hybride planare LED demonstriert. Die Ergebnisse der Arbeit weisen damit eine Perspektive für die Herstellung strukturierter, organisch-anorganischer Bauelemente wie hybrider LEDs basierend auf GaN-Mikrosäulen auf.weiterlesen