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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Dieser Artikel gehört zu den folgenden Serien

Elektronisches Format: PDF

Sprache(n): Englisch

ISBN: 978- / 978-9402408416 / 9789402408416

Verlag: Springer Netherland

Erscheinungsdatum: 02.09.2016

Seiten: 347

Herausgegeben von Chiara Ghidini, Paolo Traverso, Andrew Gamble, Chris Milner, Bernardo Magnini, Masanori Okuyama, Hiroshi Ishiwara, Byung-Eun Park, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon, Lucinda Becker, Jeanne Godfrey, Andrea Passerini, David Llewellyn

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