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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)

Dieser Artikel gehört zu den folgenden Serien

Sprache(n): Englisch

ISBN: 978- / 978-9402414165 / 9789402414165

Verlag: Springer Netherland

Erscheinungsdatum: 15.06.2018

Seiten: 347

Auflage: 1

Herausgegeben von Chiara Ghidini, Paolo Traverso, Andrew Gamble, Chris Milner, Bernardo Magnini, Masanori Okuyama, Hiroshi Ishiwara, Byung-Eun Park, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon, Lucinda Becker, Jeanne Godfrey, Andrea Passerini, David Llewellyn

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