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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Dieser Artikel gehört zu den folgenden Serien

Elektronisches Format: PDF

Sprache(n): Englisch

ISBN: 978-9811512124 / 978-9811512124 / 9789811512124

Verlag: Springer Singapore

Erscheinungsdatum: 23.03.2020

Seiten: 425

Auflage: 2

Herausgegeben von Masanori Okuyama, Hiroshi Ishiwara, Byung-Eun Park, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon

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