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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)

Dieser Artikel gehört zu den folgenden Serien

Sprache(n): Englisch

ISBN: 978-9811512148 / 978-9811512148 / 9789811512148

Verlag: Springer Singapore

Erscheinungsdatum: 24.03.2021

Seiten: 425

Auflage: 2

Herausgegeben von Masanori Okuyama, Hiroshi Ishiwara, Byung-Eun Park, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon

160,49 € inkl. MwSt.
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