Noch Fragen? 0800 / 33 82 637

Artikel empfehlen

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications

Produktform: Buch / Einband - fest (Hardcover)

Dieser Artikel gehört zu den folgenden Serien

Sprache(n): Englisch

ISBN: 978-9811512117 / 978-9811512117 / 9789811512117

Verlag: Springer Singapore

Erscheinungsdatum: 24.03.2020

Seiten: 425

Auflage: 2

Herausgegeben von Masanori Okuyama, Hiroshi Ishiwara, Byung-Eun Park, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon

160,49 € inkl. MwSt.
kostenloser Versand

lieferbar - Lieferzeit 10-15 Werktage

zurück