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Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente

Produktform: Buch / Einband - flex.(Paperback)

Ziel dieser Arbeit war es, eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür wurden homo-epitaktische, n-leitende SiC-Schichten abgeschieden. Diese Schichten wurden anschließend mit konfokaler DIC-Mikroskopie und UV-PL Methoden hinsichtlich ihrer Defekte charakterisiert. Die so charakterisierten Epitaxie-Wafer wurden zur Herstellung von leistungselektronischen Trench-MOSFET Bauelementen verwendet. Nach der Prozessierung wurden die Bauelemente elektrisch charakterisiert. Elektrische Ausbeute-Maps wurden anschließend mit den während der Prozessierung aufgenommenen Defektdaten überlagert und mit entsprechenden Defektklassen abgeglichen. Abschließende Untersuchungen an diesen charakterisierten Bauelementen dienten zur Analyse der Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit.weiterlesen

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Sprache(n): Deutsch

ISBN: 978-3-9614761-9-0 / 978-3961476190 / 9783961476190

Verlag: FAU University Press

Erscheinungsdatum: 22.02.2023

Seiten: 243

Autor(en): Daniel Baierhofer

35,50 € inkl. MwSt.
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