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Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.weiterlesen

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Elektronisches Format: PDF

Sprache(n): Englisch

ISBN: 978-3-642-19568-6 / 978-3642195686 / 9783642195686

Verlag: Springer Berlin

Erscheinungsdatum: 18.08.2011

Seiten: 144

Herausgegeben von Koichiro Ishibashi, Kenichi Osada

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