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Nanometer Variation-Tolerant SRAM

Circuits and Statistical Design for Yield

Produktform: Buch / Einband - fest (Hardcover)

Sprache(n): Englisch

ISBN: 978-1-4614-1748-4 / 978-1461417484 / 9781461417484

Verlag: Springer US

Erscheinungsdatum: 27.09.2012

Seiten: 172

Auflage: 1

Autor(en): Mohab Anis, Mohamed Abu Rahma

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