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Nanometer Variation-Tolerant SRAM

Circuits and Statistical Design for Yield

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Elektronisches Format: PDF

Sprache(n): Englisch

ISBN: 978-1-4614-1749-1 / 978-1461417491 / 9781461417491

Verlag: Springer US

Erscheinungsdatum: 26.09.2012

Seiten: 172

Autor(en): Mohab Anis, Mohamed Abu Rahma

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