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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Produktform: E-Buch Text Elektronisches Buch in proprietärem

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.weiterlesen

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Elektronisches Format: PDF

Sprache(n): Englisch

ISBN: 978-3-7091-0382-1 / 978-3709103821 / 9783709103821

Verlag: Springer Wien

Erscheinungsdatum: 06.01.2011

Seiten: 252

Autor(en): Viktor Sverdlov

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