Kurzfassung in Englisch: After an introduction to the systems under study and the applied experimental techniques, the following topics are discussed: · Surface states of metal- and SiC-supported graphene around the Gamma-Point · Charge screening in graphene and charge transfer to the substrate · Unoccupied, energetically high-lying Dirac cones of bismut chalcogenides · Electron dynamics in the surface state of Sb2SnTe4, an intrinsically p-type topological insulator Kurzfassung in Deutsch: Nach der Vorstellung der untersuchten Systeme und der angewandten experimentellen Methode werden die folgenden Themengebiete bearbeitet: · Oberflächenzustände von Graphen auf Metall- und Siliziumkarbidsubstrat in der Umgebung des Gamma-Punktes · Ladungsabschirmung in Graphen und Ladungstransfer zum Substrat · Unbesetzte, energetisch höherliegende Dirac-artige Zustände von Wismuth-Chalcogeniden · Elektronendynamik in Sb2SnTe4, einem p-Typ topologischen Isolatorweiterlesen