In dieser Dissertation wird ein neuartiger Fertigungsansatz für die Realisierung anisotroper magnetoresistiver (AMR) Sensoren vorgestellt. Diese werden mit einem galvanischen Prozess in einem mikrofluidischen Kanal abgeschieden. Hierdurch wird der Einsatz von fotolithografischen Prozessschritten vermieden und die eingesetzten Elektrolytvolumina gering gehalten. Die Sensoren können lokal auf Bauteiloberflächen, auch in Aussparungen abgeschieden werden. Der magnetoresistive Koeffizient der abgeschiedenen Sensorschichten variiert prozessbedingt zwischen 1,4 % und 1,9 %. Durch kerrmikroskopischen Untersuchungen der abgeschiedenen Sensorschichten wird die jeweilige Sensorcharakteristik, auf verschiedenen Subtraten und bei variierenden Prozessbedingungen, mit der jeweiligen Domänenstruktur in den sensitiven Schichten korreliert.weiterlesen