Ziel dieser Arbeit war die Analyse der Sekundärelektronen-Signalentstehung an Mikrostrukturen in einem Niederspannungs-Rasterelektronenmikroskop, dem Elektronen-Optischen Metrologiesystem der PTB (EOMS). Die Vorgehensweise war dabei die Auftrennung der komplexen Signalentstehung in die einzelnen geräte- und probenspezifischen Kontrastmechanismen, die einzeln quantitativ erfaßt wurden. Aus der Analyse der Signalentstehung sollten Algorithmen zur Charakterisierung der Kantenstruktur und zur Strukturbreitemessung abgeleitet werden, um damit Messungen der Strukturbreite an Silizium- und Photomasken-Strukturen durchzuführen und mit den Ergebnissen anderer Meßmethoden zu vergleichen. Erstmals wurde die gesamte Signalentstehungskette eines Metrologie-SEMs analysiert und der Einfluß jeder Komponente der Signalentstehungskette auf Strukturbreitemessungen untersucht.weiterlesen