This work showcases the development of an industrially relevant process for the low substrate-temperature deposition of silicon for MEMS applications. This opens possibilities to deposit MEMS structures directly onto pre-fabricated ASICs, in addition to temperature sensitive substrates. Additionally, this work details the development of an advanced simulation model to optimize film crystallinity, without the need for increased temperatures.

In dieser Arbeit wurde die photokatalytische Depositionsgeschwindigkeit des Stickstoffmonoxid-Abbaus von mittels thermischer Atomlagenabscheidung abgeschiedenen Titandioxid-Photokatalysatoren evaluiert. Hierfür wurden die geeigneten Prozessfenster zur Abscheidung von kristallinem Titandioxid identifiziert und eine Bewertung der photokatalytischen Wirksamkeit unter Betrachtung der jeweiligen kinetischen Modellierung durchgeführt.